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1 蝕刻是將晶圓上未受光阻保護的沉積或氧化薄膜除去的製程,下列有關濺散蝕刻之敘述何者正確?
A 為乾式蝕刻法
B 線條精度較低
C 為等向性蝕刻
D 會產生過切現象
濺散蝕刻為非等向性蝕刻,不產生過切現象,所以線條精度較高