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1 微影製程曝光乃是利用全自動的校準設備將光罩放置在晶圓上方作精確的定位，然後照射光線，其所用的光線為
A 日光
B 紅外光
C 紫外光
D 黃光
2 下列有關微影製程之敘述何者不正確？
A 必須先製作光罩
B 以刷子在晶圓上塗佈光阻劑
C 光阻液要再經過烘烤除去光組液內之溶劑
D 以紫外線曝光
  
晶圓放在塗佈機上，滴一滴光阻液，塗佈機以1,000~5,000rpm之轉速旋轉，光阻液因離心力作用均勻向外流動，佈滿晶圓表面形成一薄層的附著膜
3 下列有關濺散蝕刻之敘述何者不正確？
A 為乾式蝕刻法
B 為濕式蝕刻法
C 為非等向性蝕刻
D 不會產生過切現象
4 製造晶片時，氧化之後接下來的製程為何？
A 氧化
B 微影
C 蝕刻
D 摻雜
5 下列有關晶圓製作之敘述何者不正確？
A 直徑大比直徑小者具有競爭力
B 晶粒必須以金屬導線與外部作連接
C 晶粒經測試不合格者要滴墨水作記號
D 擴散摻雜法比離子植入法常用
6 由於IC元件的電路密度不斷增高，所以元件的線寬必須不斷地縮小，目前IC製程可達的最小線寬為
A 0.18μm
B 0.15μm
C 0.13μm
D 45nm
7 半導體製程是相當精細的製造技術，在其製程中需用到多種精密加工技術，本製程用不到下列何種製造技術？
A CVD
B PAM
C CAD
D CMP
  
PAM為電漿切削之縮寫
8 下列敘述何者與薄膜沉積無關？
A 利用化學氣相沉積法
B 在晶圓上形成製造電路的基礎
C 所需厚度很小約1mm
D 在晶圓上面沉積一層二氧化矽、氮化矽、多晶矽或導電金屬
  
薄膜沉積的厚度不到1μm
9 製造晶片時，薄膜沉積後接下來的製程為何？
A 氧化
B 微影
C 蝕刻
D 摻雜
10 下列敘述何者與氧化無關？
A 可在矽晶圓上長出二氧化矽
B 純度比薄膜沉積法高
C 與惰性氣體接觸
D 沉積之厚度不到1μm
  
矽與反應性氣體接觸才可長出二氧化矽