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1 由於IC元件的電路密度不斷增高，所以元件的線寬必須不斷地縮小，目前IC製程可達的最小線寬為
A 0.18μm
B 0.15μm
C 0.13μm
D 45nm
2 下列有關晶圓製作之敘述何者不正確？
A 直徑大比直徑小者具有競爭力
B 晶粒必須以金屬導線與外部作連接
C 晶粒經測試不合格者要滴墨水作記號
D 擴散摻雜法比離子植入法常用
3 製造晶片時，氧化之後接下來的製程為何？
A 氧化
B 微影
C 蝕刻
D 摻雜
4 下列有關濺散蝕刻之敘述何者不正確？
A 為乾式蝕刻法
B 為濕式蝕刻法
C 為非等向性蝕刻
D 不會產生過切現象
5 下列有關微影製程之敘述何者不正確？
A 必須先製作光罩
B 以刷子在晶圓上塗佈光阻劑
C 光阻液要再經過烘烤除去光組液內之溶劑
D 以紫外線曝光
  
晶圓放在塗佈機上，滴一滴光阻液，塗佈機以1,000~5,000rpm之轉速旋轉，光阻液因離心力作用均勻向外流動，佈滿晶圓表面形成一薄層的附著膜
6 下列有關半導體產業之敘述何者不正確？
A 製程容易自動化
B 製造的軟硬體設備價格便宜
C 需要投入大量的研發資金與人才
D 製造精密度極高，製造流程又相當長
  
IC產業的軟硬體設備非常昂貴
7 新竹科學園區是IC產業的重鎮，IC是何種先進製造技術的縮寫？
A 積體電路
B 奈米科技
C 濺散蝕刻
D 化學氣相沉積
8 下列有關P型半導體之敘述何者不正確？
A 為外賦半導體
B 為可接受電子的電洞
C 導電性比金屬好
D 以三價硼摻入四價矽
  
半導體的導電性介於導電體與絕緣體之間
9 下列有關單晶成長之敘述何者不正確？
A 將二氧化矽經過多道的熔解、還原及精煉成為無缺陷的高品質電子級的矽
B 常以柴可斯基法拉晶
C 晶圓直徑由種晶決定
D 每小時可拉出1m長的晶柱
  
晶柱拉出之速度為10μm/sec，亦即每拉出1m長的晶柱約需28小時
10 蝕刻是將晶圓上未受光阻保護的沉積或氧化薄膜除去的製程，下列有關濺散蝕刻之敘述何者正確？
A 為乾式蝕刻法
B 線條精度較低
C 為等向性蝕刻
D 會產生過切現象
  
濺散蝕刻為非等向性蝕刻，不產生過切現象，所以線條精度較高