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1 下列有關IC製程之敘述何者不正確？
A 晶粒製造完成後為確保使用的可靠度，必須進行封裝，以便與外部導線連接並隔絕外在環境的影響
B 電路元件必須以高電阻且與絕緣的二氧化矽層有良好附著力之金屬導線作內部連接，才能使積體電路發揮正常的功能
C 製作印刷電路板是以銅箔覆蓋在塑膠板上，利用微影技術在銅箔上產生電路模型，之後對銅箔進行選擇性侵蝕而將電路蝕刻出來
D 封裝完成的晶粒組通常被組裝在印刷電路板上與其他晶粒組作結合，以形成大的電路結構單元
  
電路元件必須以低電阻之金屬導線作內部連接
2 下列有關半導體製程之次序何者正確？
A 薄膜沉積→微影→蝕刻→摻雜
B 薄膜沉積→蝕刻→微影→摻雜
C 薄膜沉積→微影→摻雜→蝕刻
D 蝕刻→微影→薄膜沉積→摻雜
3 下列敘述何者與微影無關？
A 經由光罩(Mask)將元件的幾何圖案傳遞到晶圓表面的製程
B 以CAD繪製電路圖
C 晶圓塗光阻劑之後再曝光
D 紫外線照射一次可同時曝光數百個晶片
  
紫外線照射一次只曝光一個晶片
4 下列有關半導體之敘述何者正確？
A 純的半導體中電子可在固體內自由運動
B 內稟半導體的導電能力高於外賦半導體
C 內稟半導體用於電晶體和為不同目的而使用小電流的有關電子零件
D 在純的內稟矽半導體中，每百萬個矽原子用十幾個硼原子取代後，導電性能就可增大一千倍
  
純的半導體中電子無法在固體內自由運動; 內稟半導體的導電能力低於外賦半導體; 外賦半導體用於電晶體和為不同目的而使用小電流的有關電子零件
5 下列何者不屬於生產自動化技術之範疇？
A 微影技術(Lithography)
B 機器人(Robot)
C 自動倉儲(Automated Warehouse)
D 群組技術(Group Technology)
  
微影技術是半導體製造技術
6 晶粒摻雜時會用到何種技術？
A 物理蒸鍍
B 化學蒸鍍
C 離子植入
D 濺散蝕刻
7 蝕刻是將晶圓上未受光阻保護的沉積或氧化薄膜除去的製程，下列有關濺散蝕刻之敘述何者正確？
A 為乾式蝕刻法
B 線條精度較低
C 為等向性蝕刻
D 會產生過切現象
  
濺散蝕刻為非等向性蝕刻，不產生過切現象，所以線條精度較高
8 下列有關單晶成長之敘述何者不正確？
A 將二氧化矽經過多道的熔解、還原及精煉成為無缺陷的高品質電子級的矽
B 常以柴可斯基法拉晶
C 晶圓直徑由種晶決定
D 每小時可拉出1m長的晶柱
  
晶柱拉出之速度為10μm/sec，亦即每拉出1m長的晶柱約需28小時
9 下列有關P型半導體之敘述何者不正確？
A 為外賦半導體
B 為可接受電子的電洞
C 導電性比金屬好
D 以三價硼摻入四價矽
  
半導體的導電性介於導電體與絕緣體之間
10 微細製造技術所稱之奈米，其定義為何？
A 1×10-2m
B 1×10-3m
C 1×10-6m
D 1×10-9m