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1 矽原子摻入下列何種物質而形成N型半導體
A 硼
B 鎵
C 銦
D 砷
  
N型半導體=四價元素+五價元素 五價元素：磷(P)、砷(As)、銻(Sb)、鉍(Bi)
2 常溫下欲使矽原子破壞共價鍵至少須給予多少電子伏特的能量？
A 0.05eV
B 0.72eV
C 1.1eV
D 2.1eV
  
鍺=0.72eV、矽=1.1eV
3 下列何種物質其多數載子為電子？
A 本質半導體
B P型半導體
C N型半導體
D 外質半導體
  
N型半導體 多數載子：電子；少數載子：電洞
4 P型半導體
A 帶正電
B 帶負電
C 不帶電
D 以上皆非
  
本質半導體、外質半導體、P型半導體、N型半導體都是電中性
5 鍺二極體障壁電位為
A 0V　
B 0.3V
C 0.6V
D 1.1V
  
鍺 0.2~0.3V；矽 0.6~0.7V;
6 空乏區內N型半導體應有
A 電洞
B 電子
C 正離子
D 負離子
  
N型半導體空乏區因為失去電子，所以形成正離子
7 矽二極體接上順向偏壓時，其切入電壓約為
A 0.1V
B 0.3V
C 0.6V
D 1.0V
  
鍺 0.2~0.3V；矽 0.6~0.7V;
8 二極體不具下列何種功能？
A 放大
B 整流
C 檢波
D 截波
9 矽原子摻入下列何種物質而形成P型半導體
A 磷
B 砷
C 銻
D 硼
  
P型半導體=四價元素+三價元素 三價元素：硼(B)、銦(In)、鎵(Ga)
10 有關二極體的特性，下列何者為錯誤？
A 在逆向偏壓時，其空乏區寬度會變大
B 溫度愈高則其順向壓降愈低
C 溫度愈高，其逆向飽和電流愈小
D 一般而言，矽二極體的逆向峰值電壓比鍺二極體高
  
溫度每上升10℃，逆向飽和電流變為原來的2倍。溫度越高，逆向飽和電流越大