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N 通道 JFET
P 通道 JFET
N 通道 空乏型MOSFET
N 通道 空乏型MOSFET
P 通道 空乏型MOSFET
P 通道 空乏型MOSFET
N 通道 增強型MOSFET
N 通道 增強型MOSFET
P 通道 增強型MOSFET
P 通道 增強型MOSFET
A 通道中載子的濃度
B 通道之導電係數
C 通道接面的電流
D 接面空乏區的厚度
JFET以VGS控制接合面空乏區的大小,使通道改變,進而使ID也隨之變化
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每天進步一點點,量的積累會產生質的改變
Enough is enough.(我受夠了)