A 利用電磁場效應控制電流
B 接面型FET(JFET)具有雙接面結構
C 為單載子傳導
D 輸入阻抗較BJT低
FET使用電場,非磁場控制電流
JFET為單接面結構
輸入阻抗較BJT高
A VGS接近截止(cut-off)電壓時,汲極與源極間的崩潰電壓比在VGS=0V時為大
B 在室溫附近,溫度愈高時,有較小的汲極電流
C 通道寬度愈窄,夾止(pinch-off)電壓愈大
D P通道接面場效電晶體的高電位在汲極端
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成功的人找方法 失敗的人找理由
I don't give a damm. (我才不在乎呢)