Positive SSL
BLOCK
BLOCK
1 有一N通道JFET，IDSS = 25mA，VGS(OFF)=-5V，當VGS = -2V 時，求ID?
A 1mA
B 9mA
C 12mA
D 18mA
  

`I_D` = `I_(DSS)*(1-V_(GS)/V_P)^2`

= `25 * (1-(-2)/(-5))^2`

= `25 * (3/5)^2`

= `25 * (9/25)`

= 9mA

2 有一N通道JFET，IDSS = 25mA，VGS(OFF)=-5V，當VGS = -6V 時，求ID?
A 3mA
B 1mA
C 10mA
D 0mA
  

VP > VGS(OFF)，FET 截止，ID = 0

3 某一JFET，當ID = 4mA，IDSS = 16mA，VP = -4V ,求 VGS = ?
A 1
B 2
C -2
D -1
  

`I_D=I_(DSS)*(1-V_(GS)/V_P)^2`

`4m=16m*(1-V_(GS)/-4)^2`

`1/4=(1-V_(GS)/-4)^2`

`1/2=(1-V_(GS)/-4)`

`V_(GS)/-4 = 1/2`

`V_(GS) = -2`

4 在場效應電晶體中IDSS為在何種狀況下之汲極電流?
A VDD=0V
B VGS=0V
C VDS=0V
D VGD=0V
5 JFET、空乏型MOSFET(D-MOSFET)與增強型MOSFET(E-MOSFET)三者中，何者不可採用汲極回授偏壓法？
A JFET 與 空乏型MOSFET(D-MOSFET)
B JFET 與 增強型MOSFET(E-MOSFET)
C 空乏型MOSFET(D-MOSFET) 與 增強型MOSFET(E-MOSFET)
D 都可
  

集極回授時，VD = VG，空乏型無法進入定電流區，增強型才可以

6 FET作放大器工作時，工作點在
A 歐姆區
B 定電流區
C 截止區
D 定電壓區
  
FET工作定電流區為線性放大