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1 二極體逆向飽和電流IS於溫度每上升10℃約增加一倍，有一二極體於300°K時，IS=1μA，於400°K時，應為？
A 100μA
B 200μA
C 800μA
D 1024μA
  

`I_S=1μxx2^((400-300)/10)`=`1μxx2^10`=1024μA

2 二極體P-N接面的反向電阻隨溫度增高而
A 加大
B 減小
C 不變
D 先增大再減小
  
溫度越高，漏電流越大，電流越大，電阻越小
3 一純矽半導體中，本質濃度 `n_i=1.5xx10^(10) cm^(-3)` ，原子密度為`5xx10^(22)cm^(-3)` ，若於每`10^9`個矽原子摻入1個施體雜質，則其電洞濃度為多少？
A `4.5xx10^5 cm^(-3)`
B `4.5xx10^6 cm^(-3)`
C `4.5xx10^7 cm^(-3)`
D `4.5xx10^8 cm^(-3)`
  

質量作用定律 `n_i^2=nxxp`

電子濃度 `n = (5xx10^(22))/(10^9)=5xx10^(13)(cm^(-3))`

`(1.5xx10^(10))^2 = p xx (5xx10^(13))`

`p = (2.25xx10^(20))/(5xx10^(13))`

` = 4.5xx10^6 (cm^(-3)) `

4 對於二極體，下列敘述何者正確？　
A 用在檢波時，要工作在非線性區
B 串聯可增加最大電流
C 並聯可增最大逆向電壓
D 施加逆向偏壓愈大，則空乏區寬度變小
  
二極體串聯可以增加耐壓(PIV)，並聯可以增加最大電流，逆向偏壓越大，空乏區越大
5 假設某矽二極體在25℃時，IS=3nA，試求溫度上升到45℃時IS？
A 6nA
B 12nA
C 30nA
D 60nA
  

`I_S=3nxx2^((45-25)/10)`=`3nxx2^2`=12nA

6 矽二極體的兩端施加直流電壓為0.9伏特，並測得電流為10毫安培，則此二極體的靜態電阻：
A 90Ω
B 90kΩ　
C 900Ω
D 100kΩ
  
`R_D=V_D/I_D=0.9/(10m)=90Ω`
7 關於二極體，下列敘述何者錯誤？　
A 接面附近會產生一空乏層，而P型側的空乏層內含有負離子　
B 二極體具有單向導電特性，可作為整流、檢波等功能　
C 二極體在逆向偏壓下(小於崩潰電壓)，沒有電流導通，但仍有微量的逆向飽和電流，其大小與外加偏壓沒有太大關係，但對溫度甚為敏感
D 接面接上順向偏壓後，則空乏層的寬度變小，使得載子越過接面而達到對面，造成大量電流流動，所以具有電流放大作用
  
二極體沒有放大作用
8 在P型半導體中，載子的狀況是：
A 只有電洞
B 只有電子
C 有多數電子及少數電洞
D 有多數電洞及少數電子
9 擴散電流形成的原因是？
A 空乏區的電場
B 空乏區的多數載子
C 載子濃度不同
D 載子移動速率不同
10 溫度每升高1℃時，二極體的順向電壓約降低　
A 1.25V
B 1.5mV　
C 2.0mV　
D 2.5mV
  

題目未特別說明是矽或鍺二極體時，因為目前矽二極體比較普遍，所以矽來計算。

`矽：-2.5 (mV)/℃ ; 鍺：-1 (mV)/℃`