Positive SSL
BLOCK
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1 N通道增強型 MOSFET 的 VGS 電壓應如何操作才能使 ID 電流導通
A VGS > 0，VGS < VT
B VGS < 0，VGS < VT
C VGS > 0，VGS > VT
D VGS > 0，VGS < VT
2 某一空乏型 MOSFET IDSS = 10mA，VP = -4V，當VGS = -2V 時，求 gm ?
A 1.25mS
B 2.5mS
C 5mS
D 10mS
  

gm = `2 | I_(DSS)/V_P |(1-V_(GS)/V_P)`

= `2*|(10m)/-4 |*(1-(-2)/(-4))`

= `5m*(1/2)`

= 2.5mS

3 有關各種N通道場效電晶體偏壓於飽和區( 定電流區) 工作，下列敘述何者正確？ 109
A VGS 皆需大於零才可使汲極端流入電流正常操作 ( ID ＞ 0)
B VGS 小於零皆可使汲極端流入電流正常操作 ( ID ＞ 0)
C FET內部通道靠近汲極處形成之通道較窄
D FET內部通道靠近汲極處形成之空乏區較窄
  

定電流區：
N通道空乏型FET　 VGS < 0 且 | VGS | < | VP |
N通道JFET　　　　VGS < 0 且 | VGS | < | VP |
N通道增強型FET 　VGS > 0 且 VGS > VT

歐姆區　：VGD 不夾； VGS 不夾

定電流區：VGD 夾 ；VGS 不夾

截止區　：VGD 夾； VGS 夾

夾 就是沒有通道，在定電流區時，VGD 夾，汲極(D)通道小，VGS 不夾，源極(S)通道大