[題庫][電子學]8-4.MOSFET直流偏壓 BLOCK 學習網

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1.電子學概論(32)

　1-1.電子學發展歷史與趨勢(9)

　1-2.基本波形(23)

2.二極體(56)

　2-1.二極體性質(37)

　2-2.二極體的等效電路(12)

　2-3.稽納二極體(6)

　2-4.發光二極體(1)

3.二極體的應用電路(75)

　3-1.整流(39)

　3-2.濾波(19)

　3-3.倍壓(7)

　3-5.箝位(10)

4.雙極性接面電晶體(99)

　4-1.電晶體構造及特性(27)

　4-2.電晶體三種組態(41)

　4-4.電晶體之放大作用(23)

　4-5.電晶體之開關作用(8)

5.電晶體直流偏壓電路(19)

　5-1.直流工作點(8)

　5-2.固定偏壓(4)

　5-3.回授偏壓(2)

　5-4.分壓偏壓(5)

6.電晶體放大電路(50)

　6-1.交流等效電路(29)

　6-2.共射極放大電路(11)

　6-3.共集極放大電路(8)

　6-4.共基極放大電路(2)

7.串級放大電路(33)

　7-1.放大器增益(15)

　7-2.RC耦合串級放大電路(1)

　7-3.直接耦合串級放大電路(6)

　7-4.達靈頓電路(1)

　7-5.變壓器耦合串級放大電路(5)

　7-6.放大器的頻率響應(5)

8.場效電晶體(31)

　8-1.JFET構造及特性(18)

　8-2.JFET直流偏壓(6)

　8-3.MOSFET構造及特性(4)

　8-4.MOSFET直流偏壓(3)

9.場效電晶體放大電路(9)

　9-1.FET交流等效電路(5)

　9-2.共源極放大電路(2)

　9-4.共閘極放大電路(2)

10.運算放大器(12)

　10-1.OPA構造及特性(9)

　10-2.反相及非反相(1)

　10-4.微分器及積分器(1)

　10-5.比較器(1)

　12-1.三用電表(6)

1 某一空乏型 MOSFET I_DSS = 10mA，V_P = -4V，當V_GS = -2V 時，求 gm ?

A 1.25mS

B 2.5mS

C 5mS

D 10mS

答案詳解

gm = `2 | I_(DSS)/V_P |(1-V_(GS)/V_P)`

= `2*|(10m)/-4 |*(1-(-2)/(-4))`

= `5m*(1/2)`

= 2.5mS

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