1 有關各種N通道場效電晶體偏壓於飽和區( 定電流區) 工作，下列敘述何者正確？ 109 統測
A VGS 皆需大於零才可使汲極端流入電流正常操作 ( ID ＞ 0)
B VGS 小於零皆可使汲極端流入電流正常操作 ( ID ＞ 0)
C FET內部通道靠近汲極處形成之通道較窄
D FET內部通道靠近汲極處形成之空乏區較窄
定電流區：
N通道空乏型FET VGS < 0 且 | VGS | < | VP |
N通道JFET VGS < 0 且 | VGS | < | VP |
N通道增強型FET VGS > 0 且 VGS > VT
歐姆區 ：VGD 不夾； VGS 不夾
定電流區：VGD 夾 ；VGS 不夾
截止區 ：VGD 夾； VGS 夾
夾 就是沒有通道，在定電流區時，VGD 夾，汲極(D)通道小，VGS 不夾，源極(S)通道大
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態度決定高度
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