1 有關各種N通道場效電晶體偏壓於飽和區( 定電流區) 工作,下列敘述何者正確? 	109 統測  
	
								A VGS 皆需大於零才可使汲極端流入電流正常操作 ( ID > 0)
 								
								B VGS 小於零皆可使汲極端流入電流正常操作 ( ID > 0) 
								
								C FET內部通道靠近汲極處形成之通道較窄 
								
								D FET內部通道靠近汲極處形成之空乏區較窄
								
								
									
							
							
																定電流區:
N通道空乏型FET  VGS < 0 且 | VGS | < | VP |  
 N通道JFET    VGS < 0 且 | VGS | < | VP | 
N通道增強型FET  VGS > 0 且 VGS > VT
歐姆區 :VGD 不夾; VGS 不夾
定電流區:VGD 夾 ;VGS 不夾
截止區 :VGD 夾; VGS 夾
夾 就是沒有通道,在定電流區時,VGD 夾,汲極(D)通道小,VGS 不夾,源極(S)通道大
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										態度決定高度
								
							
										Live till old, learn till old.(活到老學到老)