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1 矽原子摻入下列何種物質而形成N型半導體
A 硼
B 鎵
C 銦
D 砷
  
N型半導體=四價元素+五價元素 五價元素：磷(P)、砷(As)、銻(Sb)、鉍(Bi)
2 擴散電流形成的原因是？
A 空乏區的電場
B 空乏區的多數載子
C 載子濃度不同
D 載子移動速率不同
3 漂移電流形成的原因是？
A 空乏區的電場
B 空乏區的多數載子
C 載子濃度不同
D 載子移動速率不同
4 矽的熱當電壓在常溫下約？
A 25mV
B 0.2V
C 0.6V
D 1.1V
5 下列何者為二極體接逆向偏壓時的等效？
A 短路
B 斷路
C 電阻
D 電感
6 在未外加偏壓下，下列有關 PN 接面二極體空乏區的敘述，請問何者錯誤？
A 所形成的障壁電位，在空乏區 N 側的電位比 P 側的電位高
B 達到平衡狀態時，在空乏區 P 側中有電洞、在 N 側中有自由電子
C 在空乏區中，P 側有負離子、N 側有正離子
D P、N 兩側空乏區的寬度，其所摻雜的雜質濃度愈高，則該側空乏區的寬度愈窄。
  
空乏區內沒有電洞、電子
7 已知在室溫下，二極體導通電流ID=1mA，電壓VD=0.6V，則二極體的動態電阻rd為何？
A 2.5Ω
B 25Ω
C 60Ω
D 600Ω
  
`rd=(ηV_T)/(I_D)=(25m)/(1m)=25Ω`(沒給η時，設η=1)
8 有關二極體的電容效應，何者錯誤？
A 二極體接順向時大部份是擴散電容(CD)
B 二極體接逆向時，大部份是過渡電容(CT)
C 過度電容(CT)與外加逆向偏壓大小成正比
D 擴散電容(CD)與流過二極體的電流成正比
  
逆向偏壓越大，空乏區越大，空乏區越大，過渡電容(CT)越小
9 有關變容二極體的敘述，何者正確？
A 工作在逆向偏壓
B 主要是二極體的過渡電容(CT)
C 逆向偏壓越大，電容越小
D 以上皆是
10 某矽二極體η=2，熱電壓(thermalvoltage)VT=25mV。若其順向電流為10mA，則其動態電阻值rd為何？
A 5Ω
B 10Ω
C 15Ω
D 2.5Ω
  
`rd=(ηV_T)/(I_D)=2*(25m)/(10m)=5Ω`