Positive SSL
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1 有關二極體的特性，下列何者為錯誤？
A 在逆向偏壓時，其空乏區寬度會變大
B 溫度愈高則其順向壓降愈低
C 溫度愈高，其逆向飽和電流愈小
D 一般而言，矽二極體的逆向峰值電壓比鍺二極體高
  
溫度每上升10℃，逆向飽和電流變為原來的2倍。溫度越高，逆向飽和電流越大
2 下列何種材料在溫度升高時，其電阻值會下降？
A 金
B 鋁
C 銅鎳合金
D 矽
  
半導體是負電阻溫度係數
3 目前大量利用何種材料製成積體電路晶片(IC Chips)
A 磷
B 鋁
C 矽
D 鎂
4 電子伏特(eV：electron volt)是下列那一種表示的使用單位
A 電壓
B 電流
C 能量
D 電量
5 在矽晶體中，欲使電子由共價鍵釋放出來而成自由電子，至少需要多少能量？　
A 0.45eV　
B 0.72eV　
C 1.1eV　
D 1.6eV
6 以GaAs為材料作之電晶體比Si材料作之電晶體，能在較高頻率使用，主要是因為　
A 濃度較高
B 帶電量較大
C 移動率較快
D 以上皆非
7 在N型半導體材料中，有較多的自由電子，因此其所帶之電性為　
A 負電　
B 正電　
C 不一定　
D 電中性
  
本質半導體、外質半導體、P型半導體、N型半導體都是電中性
8 如圖所示，V1=15V、V2=-15V、R1=10kΩ,二極體為理想二極體，求電流I?
A 0mA
B 1mA
C 2mA
D 3mA
  

二極體順向導通，理想二極體導通時就像短路，原來電路變成如下圖:

I = `(15-(-15))/(10k)` = 3mA

9 如圖所示，若V1 = 5V、V2 = －5V、R1 = 1kΩ、R2 = 1kΩ、RL = 1kΩ、Vi = －5V，求VO
A 2.5V
B －2.5V
C 5V
D －5V
10 如圖所示，二極體VD = 0.7V，求當 V1 = 40V、V2 = 0V、V3 = 25V、V4 = 5V、R1 = 20kΩ、R2 = 1kΩ、R3 = 1kΩ時，求 I1及VO分別為多少?
A 3.6mA，4.3V
B 1.9mA，0.9V
C 0mA，3.8V
D 2mA，40V