A 利用電磁場效應控制電流
B 接面型FET(JFET)具有雙接面結構
C 為單載子傳導
D 輸入阻抗較BJT低
FET使用電場,非磁場控制電流
JFET為單接面結構
輸入阻抗較BJT高
A VGS接近截止(cut-off)電壓時,汲極與源極間的崩潰電壓比在VGS=0V時為大
B 在室溫附近,溫度愈高時,有較小的汲極電流
C 通道寬度愈窄,夾止(pinch-off)電壓愈大
D P通道接面場效電晶體的高電位在汲極端
A 1mA
B 9mA
C 12mA
D 18mA
`I_D` = `I_(DSS)*(1-V_(GS)/V_P)^2`
= `25 * (1-(-2)/(-5))^2`
= `25 * (3/5)^2`
= `25 * (9/25)`
= 9mA
A 3mA
B 1mA
C 10mA
D 0mA
VP > VGS(OFF),FET 截止,ID = 0
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不怕辛苦的,苦一陣子;怕辛苦的,苦一輩子
Enough is enough.(我受夠了)