Positive SSL
A 1
B 2
C -2
D -1

`I_D=I_(DSS)*(1-V_(GS)/V_P)^2`

`4m=16m*(1-V_(GS)/-4)^2`

`1/4=(1-V_(GS)/-4)^2`

`1/2=(1-V_(GS)/-4)`

`V_(GS)/-4 = 1/2`

`V_(GS) = -2`


A JFET 與 空乏型MOSFET(D-MOSFET)
B JFET 與 增強型MOSFET(E-MOSFET)
C 空乏型MOSFET(D-MOSFET) 與 增強型MOSFET(E-MOSFET)
D 都可

集極回授時,VD = VG,空乏型無法進入定電流區,增強型才可以


A 歐姆區
B 定電流區
C 截止區
D 定電壓區
FET工作定電流區為線性放大

A
B
C
D

N 通道 JFET

P 通道 JFET

N 通道 空乏型MOSFET

N 通道 空乏型MOSFET

P 通道 空乏型MOSFET

P 通道 空乏型MOSFET

N 通道 增強型MOSFET

N 通道 增強型MOSFET

P 通道 增強型MOSFET

P 通道 增強型MOSFET


A JFET為單載子元件
B MOSFET為雙載子元件
C MOSFET為電壓控制元件
D MOSFET輸入阻抗高

A 空乏型 MOSFET
B P通道JFET
C N通道增強型 MOSFET
D N通道 JFET

A N通道JFET 之 VGS加負值才可以控制ID大小
B P通道JFET 之 VDS為負值
C N通道增強型 MOSFET 之 VGS須加負電壓才可以形成通道
D 空乏型 MOSFET 之 VGS值可加正或負電壓

N通道增強型 MOSFET 之 VGS須加正電壓才可以形成通道

空乏型 MOSFET 可以當空型也可以當增強型


A VGS > 0,VGS < VT
B VGS < 0,VGS < VT
C VGS > 0,VGS > VT
D VGS > 0,VGS < VT

A 1.25mS
B 2.5mS
C 5mS
D 10mS

gm = `2 | I_(DSS)/V_P |(1-V_(GS)/V_P)`

= `2*|(10m)/-4 |*(1-(-2)/(-4))`

= `5m*(1/2)`

= 2.5mS