A 1
B 2
C -2
D -1
`I_D=I_(DSS)*(1-V_(GS)/V_P)^2`
`4m=16m*(1-V_(GS)/-4)^2`
`1/4=(1-V_(GS)/-4)^2`
`1/2=(1-V_(GS)/-4)`
`V_(GS)/-4 = 1/2`
`V_(GS) = -2`
A JFET 與 空乏型MOSFET(D-MOSFET)
B JFET 與 增強型MOSFET(E-MOSFET)
C 空乏型MOSFET(D-MOSFET) 與 增強型MOSFET(E-MOSFET)
D 都可
集極回授時,VD = VG,空乏型無法進入定電流區,增強型才可以
A
B
C
D
N 通道 JFET
P 通道 JFET
N 通道 空乏型MOSFET
N 通道 空乏型MOSFET
P 通道 空乏型MOSFET
P 通道 空乏型MOSFET
N 通道 增強型MOSFET
N 通道 增強型MOSFET
P 通道 增強型MOSFET
P 通道 增強型MOSFET
A N通道JFET 之 VGS加負值才可以控制ID大小
B P通道JFET 之 VDS為負值
C N通道增強型 MOSFET 之 VGS須加負電壓才可以形成通道
D 空乏型 MOSFET 之 VGS值可加正或負電壓
N通道增強型 MOSFET 之 VGS須加正電壓才可以形成通道
空乏型 MOSFET 可以當空型也可以當增強型
A VGS > 0,VGS < VT
B VGS < 0,VGS < VT
C VGS > 0,VGS > VT
D VGS > 0,VGS < VT
A 1.25mS
B 2.5mS
C 5mS
D 10mS
gm = `2 | I_(DSS)/V_P |(1-V_(GS)/V_P)`
= `2*|(10m)/-4 |*(1-(-2)/(-4))`
= `5m*(1/2)`
= 2.5mS
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