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1 電晶體做為開關用途時，是操作在哪些區域？
A 截止區與作用區
B 截止區與飽和區
C 僅於作用區
D 作用區與飽和區
2 若有一雙極性接面電晶體工作於飽和區，則其電流IE、IC、IB的關係為何？
A IE＞IC＋IB
B IE＝IC＋IB
C IE＝IC＝IB
D IE＜IC＋IB
  
電晶體導通工作（作用區或飽和區），則電流IE＝IC＋IB
3 假設流入NPN型電晶體各極的電流為正值，且已知基極電流是0.2mA，集極電流是1.8mA，則射極電流值為
A 1.6mA
B 2mA
C －1.6mA
D －2mA
  
IE＝0.2m＋1.8m＝2mA，流出電流以負值－2mA表示
4 PNP型BJT工作於主動區時，其射極電壓(VE)、基極電壓(VB)及集極電壓(VC)之大小關係為何？ 104
A VE＞VB＞VC
B VB＞VE＞VC
C VB＞VC＞VE
D VC＞VB＞VE
  

VBE 順向；VBC 逆向

PNP電晶體 VBE <0 ；VBC >0

VB － VE< 0

VE > VB

VB － VC > 0

VB > VC

VE > VB > VC

5 下列有關電晶體之敘述，何者錯誤？
A 不可用二個頭或尾對接之二極體來代替電晶體元件使用
B 電晶體內部傳導之電流是由電洞及電子共同移動來完成
C P型半導體的傳導電流絕大部分由電洞移動來完成
D 電晶體工作時，多數導電載子來自集極
  
電晶體工作時，多數導電載子來自射極
6 關於提高NPN雙極性接面電晶體(BJT)電流放大率的方法，下列敘述何者正確？ 105
A 射極雜質濃度減少，基極寬度變寬
B 射極雜質濃度增加，基極寬度變寬
C 射極雜質濃度減少，基極寬度變窄
D 射極雜質濃度增加，基極寬度變窄
  

射極雜質濃度增加→IE變大

基極寬度變窄→IB變小

β＝ICIB ＝IE－IBIB，β會上升

7 雙極性電晶體施於偏壓時，若將集極與射極對調，使得基極對射極接面為逆向偏壓，而基極對集極接面為順向偏壓，則下列有關電晶體特性的敘述，何者正確？
A 耐壓降低，增益提高
B 耐壓提高，增益降低
C 耐壓及增益皆降低
D 耐壓及增益皆提高
8 一般雙極性接面電晶體 極間有電流流通是因
A 擴散作用
B 擴散作用及基、集極間逆向偏壓
C 基、集極間逆向偏壓
D 以上皆非
9 一般雙極性接面電晶體正常工作時，其內部接面的偏壓為何？
A 集極與射極接面皆為逆向偏壓
B 集極與射極接面皆為順向偏壓
C 集極接面為逆向偏壓，射極接面為順向偏壓
D 射極接面為逆向偏壓，集極接面為順向偏壓
10 下列有關電晶體工作在飽和區時之特性敘述，何者正確？
A 基極與射極接面逆偏，基極與集極接面逆偏
B 基極與射極接面順偏，基極與集極接面逆偏
C 基極與射極接面逆偏，基極與集極接面順偏
D 基極與射極接面順偏，基極與集極接面順偏