A 若曲線1、2、3各自對應的是在工作溫度T1, T2, T3所量得的結果,則T1<T2<T3
B 儀表A與D可以是電流表
C 儀表B與C可以是示波器或電壓表
D 此電路架構為共射極組態
矽電晶體的VBE約為0.7V,溫度每升高1°C,VBE下降2.5mV,故3條曲線中,T1>T2>T3
A 共射極放大器
B 共集極放大器
C 共基極放大器
D 射極隨耦器
A 集極特性曲線表示的是VCE與Ic之間的關係
B 基極特性曲線表示的是VCE與IB之間的關係
C 繪製集極特性曲線時是以IB為參考
D VCE對VBE與IB之間的關係影響不大
基極特性曲線表示的是VBE與IB間的關係
A 共射極組態放大電路又稱為射極隨耦器
B 共集極組態之輸入與輸出信號同相位
C 共基極組態放大電路的高頻響應最佳
D 共射極組態兼具有電流放大與電壓放大的作用
共集極組態放大電路又稱為射極隨耦器
A CB > CE > CC
B CE < CC < CB
C CE > CB > CC
D CC > CE > CB
A CB
B CE
C CC
D CE、CB
共基極CB組態,電壓增益最大,但電流增益小於但接近於1
本網站提供的試題,僅供自我練習,並不保証完全正確。試題如有疏漏、錯誤,請E-mail告訴我們,我們會儘快更正。
學習力比學歷重要
make it count. (把握人生)