Positive SSL
A 若曲線1、2、3各自對應的是在工作溫度T1, T2, T3所量得的結果,則T1<T2<T3
B 儀表A與D可以是電流表
C 儀表B與C可以是示波器或電壓表
D 此電路架構為共射極組態
矽電晶體的VBE約為0.7V,溫度每升高1°C,VBE下降2.5mV,故3條曲線中,T1>T2>T3

A 共基極
B 共射極
C 共集極
D 共源極
輸入端接於射極,輸出端接於集極,則此電路組態為共基極

A 集極特性曲線表示的是VCE與Ic之間的關係
B 基極特性曲線表示的是VCE與IB之間的關係
C 繪製集極特性曲線時是以IB為參考
D VCE對VBE與IB之間的關係影響不大
基極特性曲線表示的是VBE與IB間的關係

A 共射極組態放大電路又稱為射極隨耦器
B 共集極組態之輸入與輸出信號同相位
C 共基極組態放大電路的高頻響應最佳
D 共射極組態兼具有電流放大與電壓放大的作用
共集極組態放大電路又稱為射極隨耦器

A 共射極
B 共集極
C 共源極
D 共基極
功率增益比較是

A 電流增益高
B 電壓增益高
C 輸出入信號反相
D 輸入阻抗高
共基極放大器的特性是高電壓增益、低電流增益、低輸入阻抗和高輸出阻抗