Positive SSL
A 基極電流 通常約占射極電流之10%~0.2%
B 少數載子電流 值很小,通常是以微安或奈安為單位,一般又稱為漏電流
C 電晶體內流動的電流是完全由電子移動所形成
D 電晶體是由基極電流 來控制集極電流 的大小
電晶體內流動的電流是由電子和電洞共同移動所形成

A 電晶體工作在作用區時,E-B接面為順向偏壓,C-B接面為逆向偏壓
B 電晶體工作在飽和區時,E-B接面為逆向偏壓,C-B接面為逆向偏壓
C 一般電晶體放大器之輸入阻抗比較:共基極CB<共射極CE<共集極CC
D 一般電晶體放大器之輸出阻抗比較:共集極CC<共射極CE<共基極CB
電晶體操作在飽和區時,E-B接面為順向偏壓,而C-B接面為順向偏壓

A VBE>0,VBC>0
B VBE<0,VBC>0
C VBE>0,VBC<0
D VBE<0,VBC<0

VBE 順向;VBC 順向

NPN電晶體 VBE >0 ;VBC >0


A 截止區
B 順向主動區
C 飽和區
D 逆向主動區

VE=0V

VB=0.7V

VC=-3V

VBE=0.7-0=0.7 > 0 逆偏

VBC=0.7-(-3)=3.7 > 0 逆偏

所以在截止區


A 對NPN型BJT而言,IE=IB+IC
B 對PNP型BJT而言,IE=IB+IC
C β為共射極放大器的電流增益
D α為共集極放大器的電流增益
α為共基極放大器的電流增益

A B-E接面順向偏壓;B-C接面順向偏壓
B B-E接面逆向偏壓;B-C接面逆向偏壓
C B-E接面逆向偏壓;B-C接面順向偏壓
D B-E接面順向偏壓;B-C接面逆向偏壓

A 基-射極接面為順向偏壓,基-集極接面為逆向偏壓
B 基-射極接面為順向偏壓,基-集極接面為順向偏壓
C 基-射極接面為逆向偏壓,基-集極接面為順向偏壓
D 基-射極接面為逆向偏壓,基-集極接面為逆向偏壓

A 基-射極接面為順向偏壓,基-集極接面為逆向偏壓
B 射極電壓小於基極電壓
C 集極電壓小於基極電壓
D 對於射極電壓、基極電壓和集極電壓,射極電壓最小