A NPN型電晶體與PNP型電晶體流入基極的電流IB方向相反
B NPN電晶體工作在飽和區(Saturation Region)時,其基射極間的電壓(VBE)為順向偏壓,且基集極間的電壓(VBC)為順向偏壓
C 若用此電晶體來設計共基極放大器(CB)時,其輸入端是射極(E極),輸出端是基極(B極)
D 當此電晶體作為開關使用時,其必須工作在截止區(Cut-off Region)或飽和區
CB放大器其輸入端是射極,輸出端為集極
A IB
B IC
C IE
D Is
設流入電晶體的電流為正,則NPN型雙極性接面電晶體BJT的直流成分中,IE流出(-)、IC流入(+)和IB流入(+)
A IE>IC+IB
B IE=IC+IB
C IE=IC=IB
D IE<IC+IB
電晶體導通工作(作用區或飽和區),則電流IE=IC+IB
A 1.6mA
B 2mA
C -1.6mA
D -2mA
IE=0.2m+1.8m=2mA,流出電流以負值-2mA表示
A VE>VB>VC
B VB>VE>VC
C VB>VC>VE
D VC>VB>VE
VBE 順向;VBC 逆向
PNP電晶體 VBE <0 ;VBC >0
VB - VE< 0
VE > VB
VB - VC > 0
VB > VC
VE > VB > VC
A 不可用二個頭或尾對接之二極體來代替電晶體元件使用
B 電晶體內部傳導之電流是由電洞及電子共同移動來完成
C P型半導體的傳導電流絕大部分由電洞移動來完成
D 電晶體工作時,多數導電載子來自集極
電晶體工作時,多數導電載子來自射極
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