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1 關於提高NPN雙極性接面電晶體(BJT)電流放大率的方法，下列敘述何者正確？ 105
A 射極雜質濃度減少，基極寬度變寬
B 射極雜質濃度增加，基極寬度變寬
C 射極雜質濃度減少，基極寬度變窄
D 射極雜質濃度增加，基極寬度變窄
  

射極雜質濃度增加→IE變大

基極寬度變窄→IB變小

β＝ICIB ＝IE－IBIB，β會上升

2 雙極性電晶體施於偏壓時，若將集極與射極對調，使得基極對射極接面為逆向偏壓，而基極對集極接面為順向偏壓，則下列有關電晶體特性的敘述，何者正確？
A 耐壓降低，增益提高
B 耐壓提高，增益降低
C 耐壓及增益皆降低
D 耐壓及增益皆提高
3 一般雙極性接面電晶體 極間有電流流通是因
A 擴散作用
B 擴散作用及基、集極間逆向偏壓
C 基、集極間逆向偏壓
D 以上皆非
4 一般雙極性接面電晶體正常工作時，其內部接面的偏壓為何？
A 集極與射極接面皆為逆向偏壓
B 集極與射極接面皆為順向偏壓
C 集極接面為逆向偏壓，射極接面為順向偏壓
D 射極接面為逆向偏壓，集極接面為順向偏壓
5 下列有關電晶體工作在飽和區時之特性敘述，何者正確？
A 基極與射極接面逆偏，基極與集極接面逆偏
B 基極與射極接面順偏，基極與集極接面逆偏
C 基極與射極接面逆偏，基極與集極接面順偏
D 基極與射極接面順偏，基極與集極接面順偏
6 下列有關雙極性接面電晶體結構特性敘述，何者錯誤？
A 基極電流 通常約占射極電流之10%~0.2%
B 少數載子電流 值很小，通常是以微安或奈安為單位，一般又稱為漏電流
C 電晶體內流動的電流是完全由電子移動所形成
D 電晶體是由基極電流 來控制集極電流 的大小
  
電晶體內流動的電流是由電子和電洞共同移動所形成
7 有一雙極性接面電晶體，已知E－B接面為順向偏壓，C－B接面為逆向偏壓，則此電晶體處於 94
A 截止區
B 飽和區
C 作用區
D 空乏區
8 下列有關雙極性接面電晶體BJT基本特性的敘述，何者錯誤？ 93
A 電晶體工作在作用區時，E－B接面為順向偏壓，C－B接面為逆向偏壓
B 電晶體工作在飽和區時，E－B接面為逆向偏壓，C－B接面為逆向偏壓
C 一般電晶體放大器之輸入阻抗比較：共基極CB＜共射極CE＜共集極CC
D 一般電晶體放大器之輸出阻抗比較：共集極CC＜共射極CE＜共基極CB
  
電晶體操作在飽和區時，E－B接面為順向偏壓，而C－B接面為順向偏壓
9 雙極性接面電晶體BJT是利用下列哪一項來控制之元件？
A 電場
B 磁場
C 電流
D 電磁場
10 NPN電晶體工作在飽和區時，基極、射極和集極之間電壓關係為何？
A VBE＞0，VBC＞0
B VBE＜0，VBC＞0
C VBE＞0，VBC＜0
D VBE＜0，VBC＜0
  

VBE 順向；VBC 順向

NPN電晶體 VBE >0 ；VBC >0