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1 若量測電路中的PNP型雙極性接面電晶體，得知其射極接地，基極電壓為0.7V，集極電壓為-3V ，請問電晶體操作在哪個區域？ 100
A 截止區
B 順向主動區
C 飽和區
D 逆向主動區
  

VE=0V

VB=0.7V

VC=-3V

VBE=0.7-0=0.7 > 0 逆偏

VBC=0.7-(-3)=3.7 > 0 逆偏

所以在截止區

2 下列有關雙極性接面電晶體BJT的敘述，何者錯誤？
A 對NPN型BJT而言，IE＝IB＋IC
B 對PNP型BJT而言，IE＝IB＋IC
C β為共射極放大器的電流增益
D α為共集極放大器的電流增益
  
α為共基極放大器的電流增益
3 關於雙極性接面電晶體(BJT)放大電路，下列敘述何者正確？ 98
A B-E接面順向偏壓；B-C接面順向偏壓
B B-E接面逆向偏壓；B-C接面逆向偏壓
C B-E接面逆向偏壓；B-C接面順向偏壓
D B-E接面順向偏壓；B-C接面逆向偏壓
4 想使用三用電錶量測雙極性接面電晶體(BJT)的 值，下列敘述何者正確？ 98
A 基-射極接面為順向偏壓，基-集極接面為逆向偏壓
B 基-射極接面為順向偏壓，基-集極接面為順向偏壓
C 基-射極接面為逆向偏壓，基-集極接面為順向偏壓
D 基-射極接面為逆向偏壓，基-集極接面為逆向偏壓
5 NPN型電晶體位於順向主動區（工作區）時，下列敘述何者錯誤？ 101
A 基-射極接面為順向偏壓，基-集極接面為逆向偏壓
B 射極電壓小於基極電壓
C 集極電壓小於基極電壓
D 對於射極電壓、基極電壓和集極電壓，射極電壓最小
6 實作圖(一)之電路以繪製輸出特性曲線，A、B、C、D為量測儀表，繪製成如圖(二)所示的3條曲線，請選出錯誤的描述。 105
A 若曲線1、2、3各自對應的是在工作溫度T1, T2, T3所量得的結果，則T1＜T2＜T3
B 儀表A與D可以是電流表
C 儀表B與C可以是示波器或電壓表
D 此電路架構為共射極組態
  
矽電晶體的VBE約為0.7V，溫度每升高1°C，VBE下降2.5mV，故3條曲線中，T1＞T2＞T3
7 有一電晶體放大電路，其電壓增益、電流增益、功率增益皆高，且輸出電壓與輸入電壓相差 。請問該電路應屬下列何種電晶體放大電路組態？ 101
A 共射極放大器
B 共集極放大器
C 共基極放大器
D 射極隨耦器
8 輸入端接於射極，輸出端接於集極，則此電路組態為下列哪一種？
A 共基極
B 共射極
C 共集極
D 共源極
  
輸入端接於射極，輸出端接於集極，則此電路組態為共基極
9 下列有關共射極組態的矽電晶體特性曲線，何者錯誤？
A 集極特性曲線表示的是VCE與Ic之間的關係
B 基極特性曲線表示的是VCE與IB之間的關係
C 繪製集極特性曲線時是以IB為參考
D VCE對VBE與IB之間的關係影響不大
  
基極特性曲線表示的是VBE與IB間的關係
10 在雙極性電晶體共射極組態的電路中，其輸入信號和輸出信號的相位關係為何？
A 相同
B 相差 45°
C 相差 90°
D 相差 180°